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全部材料人投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。文献链接：玩意VerticalMoS2 transistorswithsub-1-nmgatelengths（Nature，2022，DOI：10.1038/s41586-021-04323-3）本文由材料人CYM编译供稿。

尽管如此，百货这项工作对晶体管缩放至其物理极限提供了新的见解，并揭示了突破摩尔定律，实现1nm以下晶体管的巨大潜力。0.34nm栅极长度的侧壁晶体管显示出良好的开关特性，全部开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117mVdec-1。更重要的是，玩意它提供了对最终缩放摩尔定律的深刻见解。

     其中，百货额外的铝（Al）层屏蔽了来自石墨烯上表面的垂直电场，使有效的栅极电场来自石墨烯的边缘，只能影响部分垂直的MoS2沟道。侧壁结构有效利用了石墨烯的天然超薄厚度，全部实现了晶圆级生产。

一、玩意【导读】     众所周知，超大规模晶体管在下一代电子设备的开发中具有举足轻重的地位。

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